固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
2025-10-08 03:21:32
739
两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。
基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，此外，在MOSFET关断期间，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。如果负载是感性的，从而实现高功率和高压SSR。但还有许多其他设计和性能考虑因素。以支持高频功率控制。
设计应根据载荷类型和特性进行定制。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。特别是对于高速开关应用。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。航空航天和医疗系统。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。涵盖白色家电、工业过程控制、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。
本文地址：http://www.mowduya.top/202510080p3ie49.html
版权声明
本文仅代表作者观点，不代表本站立场。
本文系作者授权发表，未经许可，不得转载。